IT之家3月17日音讯，三星电子在本日举行的NVIDIAGTC2026大会上，全面展示了其在AI诡计范畴的时刻布局。

四肢众人独逐个家卤莽提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的好意思满AI处分有规画的半导体厂商，三星这次展出了从高性能内存到面向个东谈主开荒的低功耗处分有规画的全系产物。

在个东谈主开荒范畴，三星展示了针对土产货AI责任负载优化的内存处分有规画，包括为NVIDIADGXSpark配备的三星PM9E3和PM9E1NAND产物。

三星还展出了面向高端智高手机、平板电脑和可穿着开荒的LPDDR5X和LPDDR6DRAM处分有规画。其中，LPDDR5X每引脚速率最高可达25Gbps，同期功耗裁汰15%。在此基础上，LPDDR6将带宽进一步提高至每引脚30-35Gbps，并引入自适当电压鼎新和动态刷新末端等高档电源照看功能，为下一代端侧AI责任负载提供性能撑执。

本次展会的中枢亮点是三星第六代HBM4内存。该产物现已参加量产阶段，专为NVIDIAVeraRubin平台设想。据先容，三星HBM4卤莽提供11.7Gbps的自由处理速率，高出业界模范的8Gbps，并可进一步提高至13Gbps。通过罗致起初进的第六代10nm级DRAM工艺，三星末端了自由的良率和开始的性能施展。

更值得宥恕的是，三星本日还初度展示了其下一代HBM4E内存。该产物每引脚传输速率可达16Gbps，2026世界杯官网带宽高达4.0TB/s。此外，三星还展出了其搀和铜键合（HCB）时刻，这项新时刻将使下一代HBM卤莽末端16层或更多堆叠，同期与热压键合比较裁汰20%以上热阻。

三星还在展台上特设了“NVIDIA画廊”，伙同展示两边深度互助的服从，胪列着为英伟达AI产物量身打造的一系列前沿时刻产物，包括HBM4、SOCAMM2以及PM1763SSD。

三星SOCAMM2基于低功耗DRAM设想，是一款针对下一代AI基础步伐优化的功绩器内存模块，兼具高带宽和无邪的系统集成才调。三星已末端该产物的量产，成为业内首家达成这一里程碑的企业。

另外，面向下一代AI存储处分有规画的三星PM1763SSD罗致最新的PCIe6.0接口，提供高速数据传输和大容量存储。该产物将在基于NVIDIASCADA编程模子的功绩器上进行现场演示。此外，四肢NVIDIAVeraRubin平台加快存储基础步伐参考架构的一部分，三星PM1753SSD也将展示其在推理责任负载中提高能效和系统性能的才调。

三星还在GTC2026上展示了其与NVIDIA在AI工场开发方面的互助服从。两边野心引入NVIDIA加快诡计时刻2026世界杯官网，以膨胀三星的AI工场范围，并加快基于NVIDIAOmniverse库的制造数字孪生落地，涵盖内存、逻辑、晶圆代工和先进封装各表率。